Pracovníci z Ústavu mikroelektroniky a radioelektroniky VUT v Brně ve spolupráci s Univerzitou obrany a National Institute of Technology Jamshedpur, Indie, vyvinuli elektronické obvody, které jsou schopny dodatečně upravovat nelineární charakteristiky stávajících memristorů tak, aby lépe vyhovovaly požadavkům na konkrétní analogové aplikace. Tyto obvody byly využity k realizaci memristivních oscilátorů, které svým chováním napodobují neuronové sítě.
Příslušný článek je dostupný na
